Полупроводниковый лазер, также известный как лазерный диод, представляет собой использование полупроводниковых материалов в качестве рабочей среды для получения излучения, возбуждаемого лазером. Обычно используемыми материалами являются арсенид галлия (GaAs), сульфид кадмия (CdS), фосфид индия (InP), сульфид цинка (ZnS). Режим возбуждения имеет три формы электрического впрыска, возбуждения электронным пучком и возбуждения оптической накачкой. В зависимости от различных лазерных сред и принципа работы полупроводниковые лазеры можно разделить на следующие категории: 1. Лазерный диод: принцип работы лазерного диода заключается в том, что ток подается в PN-переход, и электроны и дырки объединяются в области перехода, высвобождая лазерные фотоны. Поскольку область перехода PN-перехода очень мала, можно получить очень плотный лазерный луч. Длина волны лазерного диода обычно составляет от 800 нм до 980 нм, что делает его подходящим для таких применений, как волоконно-оптическая связь.2. Лазер с вертикальным излучением на поверхности резонатора (VCSEL): Лазер с вертикальным излучением на поверхности резонатора (VCSEL) - это тип лазера, который изготавливается на полупроводниковом чипе. Его лазерный выход перпендикулярен поверхности чипа, что обеспечивает эффективное подключение к оптическим волокнам или другим оптическим компонентам и, следовательно, имеет широкий спектр применений в области оптической связи, оптического хранения данных, оптической печати и т.д. 3. Лазер с граничным излучением (EEL) Лазер с граничным излучением (EEL) - это разновидность полупроводникового лазера, который излучает лазеры на границах PN-переходов. Его структура аналогична лазерному диоду, но со стороны PN-перехода увеличен слой зеркал, так что лазер колеблется на границе PN-перехода, преимуществами EEL является высокая выходная мощность, регулируемая длина волны, простая структура и т.д. 4. квантовая яма лазеры: лазеры с квантовыми ямами - это разновидность полупроводниковых лазеров, которые используют чистый эффект электронных пучков в структуре квантовых ям для генерации лазеров. Лазеры на квантовых ямах обладают такими преимуществами, как регулируемая длина волны, высокая выходная мощность, низкая освещенность и т.д. Они подходят для волоконно-оптической связи, медицинского лечения и спектрального анализа и т.д. Вертикальный эпитаксиальный лазер: Вертикальный эпитаксиальный лазер (VLEC) - это разновидность полупроводникового лазера, производимого по технологии эпитаксиального роста. высокоскоростная оптическая связь, оптическое хранение данных, оптическая печать и другие области.

PREV : Какие распространенные длины волн используются в считывателе микропланшетов? NEXT : Использование кремниевых линз